英特爾可能不是唯一一家提供 HBM 服務(wù)器 CPU 的芯片制造商,因?yàn)閾?jù)報(bào)道 AMD 正在計(jì)劃自己的基于 Zen 4 架構(gòu)的 EPYC Genoa 變體,用于帶寬受限的工作負(fù)載。
AMD 將用自己的 HBM 驅(qū)動(dòng)的 Zen 4 EPYC Genoa CPU 回應(yīng)英特爾的 Sapphire Rapids Xeon CPU,聲稱謠言
謠言來自Inpact-Hardware,據(jù)報(bào)道,他們從他們的消息來源收到信息,稱 AMD 正在計(jì)劃其即將推出的由 Zen 4 核心架構(gòu)提供支持的EPYC Genoa CPU的 HBM 變體。雖然我們已經(jīng)了解了很多關(guān)于標(biāo)準(zhǔn) Genoa CPU 的知識(shí),但這是我們第一次聽說 HBM 變體。
AMD 推出基于 Zen 2 架構(gòu)的入門級(jí) Ryzen 5 4500、Ryzen 3 4100 和 Athlon Gold 4100GE CPU
合作伙伴之間確實(shí)有一個(gè)關(guān)于 Zen 4 的 HBM 版本的反復(fù)問題,但目前似乎沒有關(guān)于這個(gè)問題的明確決定。制造商確實(shí)可以為某些客戶保留這樣的解決方案,或者最終更喜歡3D V-Cache的變體。
通過 Inpact-Hardware
據(jù)報(bào)道,帶有 HBM 內(nèi)存的 EPYC CPU 是 AMD 合作伙伴中反復(fù)出現(xiàn)的問題。英特爾已經(jīng)宣布了 Sapphire Rapids 的 HBM 變體,盡管這些芯片預(yù)計(jì)不會(huì)在 2023 年左右(批量)。據(jù)報(bào)道,AMD 正在準(zhǔn)備其Milan-X系列作為 Zen 3 和 Zen 4 之間的中間產(chǎn)品,該產(chǎn)品將采用 3D 芯片堆疊技術(shù),盡管尚不清楚芯片堆疊是基于 CCD 還是V-Cache(類似于下一代 Ryzen Zen 3)臺(tái)式機(jī) CPU)。
AMD 可能會(huì)為 Milan-X 提供 3D V-Cache,以展示低級(jí)緩存如何幫助提高帶寬受限工作負(fù)載的性能,并最終在 EPYC Genoa 推出時(shí)通過更優(yōu)質(zhì)的 HBM 選項(xiàng)進(jìn)行擴(kuò)展。Milan 和 Milan-X 之間在發(fā)布方面的差異大約是 2-3 個(gè)季度,并且可以預(yù)期 AMD EPYC Genoa 與 HBM 陣容相同的時(shí)間范圍。
絕對(duì)有趣的是 AMD 的 HBM 實(shí)現(xiàn),因?yàn)樗鼈兛梢耘c傳統(tǒng)的芯片外方法或更下一代的 3D 芯片堆疊技術(shù)一起使用。英特爾尚未確認(rèn)將用于 HBM 集成的解決方案,但他們最有可能利用其 EMIB 和 Forveros 互連/封裝技術(shù)在至強(qiáng) CPU 上集成 HBM 內(nèi)存。很高興看到兩家公司都提供 HBM 服務(wù)器變體以擴(kuò)展其在 HPC 領(lǐng)域的工作負(fù)載組合。
AMD EPYC CPU 系列:
姓 | AMD EPYC 那不勒斯 | AMD EPYC 羅馬 | AMD EPYC 米蘭 | AMD EPYC 熱那亞 |
---|---|---|---|---|
家族品牌 | EPYC 7001 | EPYC 7002 | EPYC 7003 | EPYC 7004? |
家庭發(fā)布 | 2017年 | 2019年 | 2021年 | 2022年 |
CPU架構(gòu) | 禪1 | 禪2 | 禪3 | 禪4 |
進(jìn)程節(jié)點(diǎn) | 14nm GloFo | 7nm 臺(tái)積電 | 7nm 臺(tái)積電 | 5nm 臺(tái)積電 |
平臺(tái)名稱 | SP3 | SP3 | SP3 | SP5 |
插座 | LGA 4094 | LGA 4094 | LGA 4094 | LGA 6096 |
最大核心數(shù) | 32 | 64 | 64 | 96 |
最大線程數(shù) | 64 | 128 | 128 | 192 |
最大 L3 緩存 | 64 MB | 256 MB | 256 MB | 384MB? |
小芯片設(shè)計(jì) | 4 個(gè) CCD(每個(gè) CCD 2 個(gè) CCX) | 8 個(gè) CCD(每個(gè) CCD 2 個(gè) CCX)+ 1 個(gè) IOD | 8 個(gè) CCD(每個(gè) CCD 1 個(gè) CCX)+ 1 個(gè) IOD | 12 個(gè) CCD(每個(gè) CCD 1 個(gè) CCX)+ 1 個(gè) IOD |
內(nèi)存支持 | DDR4-2666 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR5-5200 |
內(nèi)存通道 | 8通道 | 8通道 | 8通道 | 12通道 |
PCIe Gen 支持 | 64 第三代 | 128 第 4 代 | 128 第 4 代 | 128 第五代 |
TDP范圍 | 200W | 280W | 280W | 320W (cTDP 400W) |