每天在移動處理器和臺式機處理器上取得更大進步的公司將繼續(xù)以其開發(fā)的技術(shù)挑戰(zhàn)物理定律。臺積電提出了2nm MBCFET技術(shù)。

多虧了MBCFET(多橋溝道FET)，借助新開發(fā)的技術(shù)，設(shè)法將晶體管的生產(chǎn)降低到3nm的公司取得了更好的結(jié)果。GizChina宣布，由于TMSC進行的研究，能源效率提高了2nm。

該系統(tǒng)是首次使用非FinFET節(jié)點創(chuàng)建的，預(yù)計將在2023年下半年投入量產(chǎn)。與5nm和3nm技術(shù)不同，TMSC將使用類似MBCFET的設(shè)計，并將大大增加得益于先進的技術(shù)，晶體管的性能得以提高。

MBCFET晶體管采用GAAFET(全能門)設(shè)計方法制造，以減少功率損耗并提高效率。三星和英特爾不久前宣布，他們將使用MBCFET技術(shù)生產(chǎn)其新處理器。

分析人士認為，用MBCFET生產(chǎn)的處理器將產(chǎn)生比電池性能更好的結(jié)果。