三星宣布聯(lián)合發(fā)現(xiàn)一種稱為非晶氮化硼(a-BN)的新材料。三星高級技術(shù)學(xué)院(SAIT)的研究人員與蔚山國立科學(xué)技術(shù)學(xué)院(UNIST)和劍橋大學(xué)合作進(jìn)行了這項(xiàng)發(fā)現(xiàn)。合作者在《自然》雜志上發(fā)表了他們的發(fā)現(xiàn)，并相信這種材料將“加速下一代半導(dǎo)體的問世”。

三星在解釋新發(fā)現(xiàn)的非晶態(tài)氮化硼時(shí)說，它由具有非晶態(tài)分子結(jié)構(gòu)的硼和氮原子組成。這家韓國公司表示，這種新材料源自白色石墨烯，但不同的分子結(jié)構(gòu)使a-BN與白色石墨烯“獨(dú)特”。

三星表示，a-BN有望被廣泛用于DRAM和NAND解決方案中，因?yàn)樗軌蜃畲蟪潭鹊販p少電氣干擾，并且可以在相對較低的400°C溫度下以晶圓級生長。

SAIT的石墨烯項(xiàng)目負(fù)責(zé)人兼首席研究員Shin Hyeon-Jin Shin在評論該材料時(shí)說：

為了增強(qiáng)石墨烯與基于硅的半導(dǎo)體工藝的兼容性，應(yīng)該在低于400°C的溫度下在半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行晶圓級石墨烯生長。我們還將繼續(xù)努力，將石墨烯的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到半導(dǎo)體以外的領(lǐng)域。”

該公司沒有透露何時(shí)開始在硬件產(chǎn)品中使用這種新材料的日期，但確實(shí)表示將在半導(dǎo)體，特別是大型服務(wù)器的下一代存儲解決方案中將其應(yīng)用于半導(dǎo)體，特別是DRAM和NAND解決方案。