SK Hynix完成176層4D NAND存儲(chǔ)器增強(qiáng)功能

2020-12-10 13:32:48    來(lái)源:新經(jīng)網(wǎng)    作者:阿威

采用176層4D NAND芯片開(kāi)發(fā)的SSD將具有70%的讀取速度和35%的寫(xiě)入速度。美光首次推出176層內(nèi)存。1個(gè)月后,SK海力士宣布已完成176層三層單元(TLC)4D NAND閃存芯片的開(kāi)發(fā)。但是,新記憶的樣本已于上個(gè)月發(fā)送給控制公司。

SK Hynix完成176層4D NAND存儲(chǔ)器增強(qiáng)功能

新型176層NAND閃存被描述為第三代4D產(chǎn)品,該產(chǎn)品在公司每晶片芯片數(shù)量方面顯示出顯著改進(jìn)。與上一代產(chǎn)品相比,每個(gè)晶圓更多的芯片可使位生產(chǎn)率提高35%,同時(shí)具有差異化的成本競(jìng)爭(zhēng)。但是,與上一代相比,單元讀取速度提高了20%。

SK hynix還設(shè)法將數(shù)據(jù)傳輸速率提高了33%,達(dá)到1.6 Gbps。使用新技術(shù)的消費(fèi)者和企業(yè)SSD將在2021年中期面市,讀取速度提高70%,寫(xiě)入速度提高35%。

隨著NAND閃存中層數(shù)的增加,單元流量減少,通道孔卷曲,單元分布變差。SK海力士表示,通過(guò)采用創(chuàng)新技術(shù)克服了這些挑戰(zhàn)。

用戶(hù)始終歡迎更快的讀寫(xiě)速度。新消息對(duì)公司用戶(hù)和計(jì)算機(jī)愛(ài)好者都有利。但是,談?wù)撌褂眯录夹g(shù)的SSD的價(jià)格為時(shí)尚早。

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