臺(tái)積電(TSMC)今天開(kāi)始了其第26屆技術(shù)研討會(huì)活動(dòng)，首先是對(duì)該公司即將推出的處理器技術(shù)的期待。該公司討論了其5nm節(jié)點(diǎn)-N5和N5P，4nm N4節(jié)點(diǎn)和3nm N3節(jié)點(diǎn)，它們將在未來(lái)幾年內(nèi)投放市場(chǎng)。

N5節(jié)點(diǎn)已經(jīng)投入量產(chǎn)，并且利用了EUV技術(shù)。與當(dāng)前的N7節(jié)點(diǎn)相比，它有望將功耗降低30%或?qū)⑿阅芴岣?5%，并將邏輯密度提高1.8倍。該工藝節(jié)點(diǎn)現(xiàn)已投入批量生產(chǎn)，因此在不久的將來(lái)看到基于該工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品也就不足為奇了。

臺(tái)積電還在開(kāi)發(fā)一種增強(qiáng)型5nm節(jié)點(diǎn)N5P，并計(jì)劃在2021年提高產(chǎn)量。與N5節(jié)點(diǎn)相比，這將使功耗降低10%或性能降低5%。這樣設(shè)計(jì)該節(jié)點(diǎn)是為高性能應(yīng)用程序。

N5的最大后繼產(chǎn)品是T3的3nm節(jié)點(diǎn)N3，它將在2021年下半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，并計(jì)劃在2022年進(jìn)入大批量生產(chǎn)。再次，這一過(guò)渡有望使電源效率比N5提高25%至30%，效果提高了10%到15%。臺(tái)積電還計(jì)劃在2021年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，并在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這是一個(gè)4納米節(jié)點(diǎn)N4，但對(duì)其性能改進(jìn)的說(shuō)法并不多。但是，它應(yīng)該使從N5節(jié)點(diǎn)的遷移更加容易。

臺(tái)積電并不是唯一一家將3nm節(jié)點(diǎn)推向市場(chǎng)的代工廠，三星表示已計(jì)劃在2021年將其自己的3nm節(jié)點(diǎn)推向市場(chǎng)。臺(tái)積電為其3nm節(jié)點(diǎn)堅(jiān)持使用FinFET。

臺(tái)積電顯然也在尋求超越硅的可能性，因?yàn)樗噲D超越3nm節(jié)點(diǎn)。該公司沒(méi)有指出任何具體計(jì)劃，但提到了諸如納米片和納米線之類的技術(shù)，并表示除了硅以外，它還有其他一些材料可以使通道厚度小于1nm。當(dāng)然，這些計(jì)劃目前仍遙遙無(wú)期。